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电力电容器的安全运行

  5.1允许运行电流

  正常运行时,电容器应在额定电流下运行,*大运行电流不得超过额定电流的1.3倍,三相电流差不超过5 %。

  5.2允许运行电压

  电容器对电压十分敏感,因电容器的损耗与电压平方成正比,过电压会使电容器发热严重,电容器绝缘会加速老化,寿命缩短,甚至穿。因此,电容器装置应在额定电压下运行,一般不宜超过额定电压的1.05倍,*高运行电压不宜超过额定电压的1.1倍。当母线超过1.1倍额定电压时,须采取降温措施。

  5.3谐波问题

  由于电容器回路是一个LC电路,对于某些谐波容易产生谐振,易造成高次谐波,使电流增加和电压升高。且谐波的这种电流对电容器非常有害,极容易使电容器击穿引起相间短路。因此,当电容器在正常工作时,在必要时可在电容器上串联适当的感抗值的电抗器,以限制谐波电流。















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           甘肃电容器回收价格能自愈吗?电容器如果能够自愈,则其可以快速恢复工作,保障用户供电和生产的持续性和安全性,这对于用户而言是很重要的。目前低压电力电容器,主要采用金属化薄膜甘肃电容器回收价格,即以金属化聚薄膜为基础材料生产的甘肃电容器回收价格,以这种材料生产的电容器都是具有自愈特性的。因此:目前的大部门低压电力甘肃电容器回收价格都是金属化薄膜电容器,金属化薄膜电容器是自愈式电容器。补充:自愈是啥意思呢?当金属化薄膜电容器介质击穿(内部故障)时,短路电流会使击穿部位周围的金属膜融化蒸发,从而恢复绝缘(即电容器恢复正常工作状态)。


 继电保护主要由继电保护成套装置实现,目前国内几个电气厂家生产的继电保护装置技术都已经非常成熟,安全稳定、功能强大。继电保护装置可以有效的切除故障电容器,是保证电力系统安全稳定运行的重要手段。主要的电容器继电保护措施有:①三段式过流保护;②为防止系统稳态过压造成电容器损坏而设置的过电压保护;③为避免系统电源短暂停投引起电容器瞬时重合造成的过电压损坏而设置的低电压保护;④反映电容器组中电容器的内部击穿故障而配置的不平衡电压保护、不平衡电流保护或三相差电压保护。

  5.5合闸问题

  电容器组禁止带电重合闸。主要是因电容器放电需要一定时间,当电容器组的开关跳闸后,如果马上重合闸,电容器是来不及放电的,在电容器中就可能残存着与重合闸电压极性相反的电荷,这将使合闸瞬间产生很大的冲击电流,从而造成电容器外壳膨胀、喷油甚至。所以,电容器组再次合闸时,必须在断路器断开3min之后才可进行。因此,电容器不允许装设自动重合闸装置,相反应装设无压释放自动跳闸装置。

  一些终端变电站往往配置有备用电源自动投切装置,装置动作将故障电源切除,然后经过短暂投入备用电源,在这个过程中,如果甘肃电容器回收价格组有低压自投切功能,那么电容器组将在短时间内再次合上,这就会发生以上所说的故障。所以,安装有备用电源自动投切装置的系统与电容器组的投切问题,应值得充分的重视。


 




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电容器由多个电容器元件组合而成,如果每个元件设置温度电流保险器件,当某一个元件由于自愈失败时绝缘下降,甚至短接时,会产生过热电流,促成温度电流保险动作,该元件即刻退出运行,而整台电容器仍可继续正常运行,只是电容量有少量下降而已。

防爆预防措施是必要的,*重要的是提高电容器元件的可靠性。一般厂家都非常重视材料的选择和工艺条件的控制。缺乏优良的原材料和严格的工艺控制,是生产不出优良的成品电容器的。

金属化膜是电容器生产的关键原材料。目前一般生产自愈式低压并联电力电容器使用AL金属化聚膜、ZN-AL(或AG-ZN)聚金属化膜。





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           电容器在原理上相当于产生容性无功电流的发电机。将它连接到需要无功的补偿装置或设备上,变压器和输出线的负荷降低,从而输出有功能力增加。

在输出一定有功功率的情况下,供电系统的损耗降低。比较起来电容器是减轻变压器、供电系统和工业配电负荷的*简便、*经济的方法。因此,电容器作为电力系统的无功补偿势在必行。

二、KYLBC自愈式低压并联电力电容器的结构特点

多年来,低压侧的无功补偿,大量采用油浸纸介电容器。这种电容器体积大、损耗高、成本高,而且、鼓肚、漏油现象严重,已远远不能适应电网发展的要求。








这也是为什么许多线路板在高频率器件VCC引脚处置放小电容的缘故之一(在vcc脚位上一般串联一个去藕电容,那样沟通交流份量就从这一电容接地装置。)配备标准以下:开关电源键入端跨接线一个10~100uF的电解电容器,假如印制电路板的部位容许,选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。为每一个集成电路芯片芯片配备一个0.01uF的瓷器电容器。如碰到印制电路板室内空间小而放不进时,可每4~10个芯片配备一个1~10uF钽电解电容器,这类器件的高频率特性阻抗尤其小,在500kHz~20MHz范畴内特性阻抗低于1Ω,并且泄露电流不大(0.5uA下列)。针对噪音工作能力弱、关闭时电流量转变大的器件和ROM、RAM等储存型器件,应在芯片的电源插头(Vcc)和接地线(GND)间立即连接去耦电容。去耦电容的导线不可以太长,尤其是高频率旁通电容不可以带导线。

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